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Atomic Layer Deposition (ALD) System
개요
- AEON™ Atomic layer deposition (ALD) system은 조밀하고 균일한 아연산황화물 아연 (산소, 황) 버퍼 층을 증착하기 위한 원자층 증착 방법으로,
ALD는 기존의 습식공정(CBD)을 대체하여 공정 흐름을 단순화하고, 비용을 절감시키는 장비임
특징
- Cluster System (5PM + 1LL)
Batch System
Thermal ALD Process
Dry Process in Vacuum
ALD is possible to adjust and optimize the Oxygen / Sulfur (O/S) ratio of the film type of the CIGS layer.
사양
Application
Dense and conformal Zinc Oxysulfide Zn(O,S) buffer layer
Substrate Size (㎜)
600 × 1,200, 1,300 × 1600
Target Materials
Zn (O,S), ZnO
Thickness (㎜)
10 ~ 50
Thickness Uniformity (%)
Within ± 5
Process Temperature (℃)
100 ~ 170
Temperature Uniformity (%)
Within ± 5 (@ 150℃)